退火温度对N掺杂MgZnO薄膜光电性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射技术,用氮气作为掺杂源,在石英基片上生长 N 掺杂 Mgx Zn1-x O薄膜,并将薄膜分别在550,600,650,700℃真空中进行热退火处理。结果表明：晶体质量随退火温度的升高而提高；薄膜中 Mg 和 Zn 的原子比发生了变化；Raman 光谱中位于272,642 cm-1处的振动峰逐渐消失；室温光致发光光谱中薄膜的紫外激子发射峰变强,且发生峰移；随着退火温度的升高,薄膜的导电类型发生转变,当退火温度为600℃时,薄膜呈最佳的p 型导电性质。

关键词：射频磁控溅射、MgZnO 薄膜、N掺杂、快速热退火

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目2013189

在线出版日期：2014-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：578-582