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10.7694/jdxblxb20130433

4He和12C离子Rutherford背散射的Geant4模拟

引用
利用Geant4程序模拟270,500 keV 4 He和12C离子垂直入射Au,Ag,Cu薄膜上的Rutherford背散射谱(RBS),并讨论材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响.结果表明,能量较大的12C离子具有较好的质量分辨率.

Geant4、重离子、RBS分析、薄膜

51

O571.33(原子核物理学、高能物理学)

国家自然科学基金J1103202

2013-08-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

712-714

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吉林大学学报(理学版)

1671-5489

22-1340/O

51

2013,51(4)

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