Cu薄膜生长初期的计算机模拟

摘要：

基于Monte Carlo模型,在理想基底上设置100×100的二维方形格,利用周期性边界条件建立Cu薄膜初期生长模型,并模拟粒子的气相沉积过程及迁移步数对薄膜生长的影响规律.结果表明:当沉积粒子数逐渐增加时,基底表面的粒子团簇结构逐渐增大；在温度不变的条件下,随着最大迁移步数的增加,团簇逐渐增大,团簇数量逐渐减小,且团簇分布逐渐稀疏；温度升高使粒子聚集为岛状,薄膜呈岛状生长.

关键词：Monte Carlo模型、Cu薄膜、计算机模拟

所属期刊栏目：51

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11004016

在线出版日期：2013-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：301-304