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10.3321/j.issn:1671-5489.2005.03.021

高功率半导体激光器的电噪声

引用
对高功率量子阱半导体激光器的爆破噪声和可能来自相同缺陷源的产生复合噪声(g-r噪声)进行了研究.实验结果表明,如果老化电流远高于阈值电流Ith,爆破噪声和g-r噪声将会被引入,甚至会出现多重g-r噪声.通过对比样品老化前后光电导数的特征参量发现,老化后产生爆破噪声和g-r噪声的器件为失效器件,表明高功率量子阱半导体激光器在使用和老化过程中有时会伴有爆破噪声和g-r噪声.通过缺陷能级理论和p-n结势垒高度变化,讨论了爆破噪声、g-r噪声及多重g-r噪声产生的原因.

电噪声、半导体激光器、可靠性

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TN365(半导体技术)

国家自然科学基金60471009;吉林省自然科学基金20020634;吉林省科研项目20040301-4

2005-06-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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吉林大学学报(理学版)

1671-5489

22-1340/O

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2005,43(3)

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