在不同退火温度下射频磁控溅射CNx膜的电子场发射性质

摘要：

对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火, 退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征. 结果发现, 沉积的CNx膜中氮原子与sp, sp2, sp3杂化碳原子相键合, 并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究.

关键词：射频磁控溅射、CNx膜、退火温度、电子场发射

所属期刊栏目：43

分类号：O484.5(固体物理学)

在线出版日期：2005-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：182-184