基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响

摘要：

利用射频磁控溅射方法, 真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体, 在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜. 在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响. 基底温度为500 ℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜, 阈值电场为12 V/μm, 电场升到34 V/μm, 场发射电流为280 μA/cm2. 所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线, 表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.

关键词：BN薄膜、场发射、基底温度、表面粗糙度

所属期刊栏目：42

分类号：TN873.95(无线电设备、电信设备)

资助基金：国家自然科学基金59831040

在线出版日期：2004-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：251-254