10.3321/j.issn:1671-5489.2004.01.021
激光晶化多晶硅的制备与XRD谱
对氢化非晶硅(a-Si∶H)进行了脱氢和不同能量密度的准分子激光晶化多晶硅的实验, 对所得样品用X射线衍射表征. 针对多晶硅(111)面特征峰的强度、晶面间距和宽化信息, 分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响, 根据谢乐公式(Scherrer)估算了晶粒的大小, 得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数, 并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况.
氢化非晶硅、脱氢、激光晶化、多晶硅、X射线衍射、半宽度
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O484.4;O471.4(固体物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA303250;吉林省科技发展计划20010305
2004-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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