RF磁控溅射法在Si衬底上生长ZnO薄膜界面的XPS研究

摘要：

采用RF磁控溅射方法在Si衬底上生长ZnO薄膜. XRD测量结果表明, ZnO薄膜为c轴择优取向生长的. 对ZnO薄膜进行了XPS深度剖析及测试. 测试结果表明, 在未达到界面时ZnO均符合正化学计量比, 是均匀的单相膜, 表明该方法具有较好的成膜特性. 在界面处, Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、Zn2p3/2与ZnLMM峰积分面积比值的变化、Si2p峰的非对称性, 均表明Si与ZnO的界面处有明显的成键作用. 在界面处,n型Si反型为p型.

关键词：薄膜、XPS、界面

所属期刊栏目：41

分类号：O781(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金60176026,60177007

在线出版日期：2003-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：493-496