二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理

摘要：

采用火焰水解法(FHD)在Si片上快速淀积出SiO2厚膜材料,材料膜厚40μm以上,生长速率8μm/min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料.利用XRD,SEM,电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行测试分析.

关键词：火焰水解法(FHD)、高温致密化、玻璃态SiO2

分类号：TN304.05(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G200036602

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56