10.3321/j.issn:1671-5489.2001.02.006
N离子注入金刚石膜方法合成的CNx膜的成键结构
使用N离子(能量分别为10 keV,60 keV)注入金刚石膜方法合成CNx膜,用Raman 光谱和XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构.结果表明,金刚石膜经10 keV N离子注入后,在Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰(1 332 cm-1)和一个弱的石墨峰(G带,~1 550 cm-1).而XPS N15资料显示两个主峰分别位于~398.5 eV和~400.0 eV.金刚石膜经60 keV N离子注入后,N15 XPS光谱中的主峰位于~400.0 eV;相应地,Raman光谱中的石墨峰变得较强.通过比较,对注入样品的XPS谱中N15的成键结构作如下归属:~400.0eV属于sp2C-N键;~398.5 eV则属于sp3C-N键.
N离子注入、金刚石、成键结构
O484.5(固体物理学)
教育部优秀青年教师资助计划;吉林省科技厅科技发展计划980544
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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