衬底预处理对p-GaN薄膜上ZnO纳米线阵列生长的影响

摘要：

为了获得具有较好紫外光发射特性的ZnO纳米线,以p-GaN薄膜为衬底,采用水热法在较低的温度(105℃)下制备出了ZnO纳米线阵列,其中纳米线的直径在100~300 nm之间.对p-GaN薄膜进行3种不同的预处理,结果表明,将衬底放入氨水中浸泡有利于生长出致密、均匀、定向排列的ZnO纳米线阵列,这与p-GaN薄膜衬底经氨水浸泡后衬底表面的OH-浓度有关,表明纳米线的密度和尺寸与p-GaN薄膜衬底表面的预处理密切相关.另外,该ZnO纳米线阵列具有较好的紫外发射特性,有望在紫外发光二极管领域获得应用.

关键词：p-GaN薄膜、ZnO纳米线、氨水、预处理

所属期刊栏目：43

分类号：O646.5;O781(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61405076,11304124

在线出版日期：2016-03-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：525-529