10.16389/j.cnki.cn42-1737/n.2015.03.006
第一性计算锑化镓中的缺陷态
基于密度函数理论和广义梯度近似原理,计算了锑化镓(GaSb)体结构中的不同缺陷的形成能。计算结果表明,无论是在Ga-rich晶体条件下还是Sb-rich晶体条件下,主要的缺陷都是空位缺陷VGa和反应缺陷GaSb,这解释了GaSb在不同生长条件下总是P型半导体的原因。
第一性计算、锑化镓、缺陷态、形成能
O471.4(半导体物理学)
2015-07-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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