第一性计算锑化镓中的缺陷态

摘要：

基于密度函数理论和广义梯度近似原理，计算了锑化镓（GaSb）体结构中的不同缺陷的形成能。计算结果表明，无论是在Ga-rich晶体条件下还是Sb-rich晶体条件下，主要的缺陷都是空位缺陷VGa和反应缺陷GaSb，这解释了GaSb在不同生长条件下总是P型半导体的原因。

关键词：第一性计算、锑化镓、缺陷态、形成能

分类号：O471.4(半导体物理学)

在线出版日期：2015-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：226-228