图形化ZnO纳米杆的生长与表征

摘要：

为了得到具有较好紫外发射特性的ZnO纳米杆阵列，以氢气腐蚀过的GaN薄膜为衬底，在较低的温度（105°C）下采用水浴法制备图形化ZnO纳米杆阵列。对制备的样品进行结构和形貌表征，并通过对比实验研究氢气腐蚀处理的影响。结果表明，氢气腐蚀过的GaN薄膜衬底，有利于形成致密、均匀、定向排列的ZnO六边形图案，符合螺旋位错驱使的生长机制。

关键词：ZnO纳米杆、GaN薄膜、六边形

分类号：O781(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11304124；江汉大学高层次人才科研启动经费项目2013017，2010014

在线出版日期：2014-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：52-56