10.3969/j.issn.1001-5078.2022.10.016
甚长波碲镉汞红外探测器制备研究
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展.采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双层异质结材料.并通过提高材料质量将双层异质结材料的双晶衍射半峰宽控制在30 arcsec以内.基于台面器件加工、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了640×512,25μm碲镉汞甚长波红外焦平面器件.通过进一步优化了材料生长和芯片制备工艺,在65 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.35μm,有效像元率为98.06%,平均峰值探测率为8.09×1010 cm·Hz1/2·W-1.
双层异质结、甚长波红外、碲镉汞、红外焦平面探测器
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TN213(光电子技术、激光技术)
2022-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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