碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究

摘要：

针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题,Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术.本文结合模拟仿真与实际测温调温,对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性.在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二次相缺陷尺寸及分布的影响.VB法中,Cd源处控制温度快速下降,晶体尾端出现三角形Te夹杂缺陷.VGF法中,在Cd源控制温度达到820～790℃范围内时,虽然晶体头部中心部分二次相缺陷问题改善效果一般,但晶体边缘及尾部二次相缺陷问题能够得到了极大改善.

关键词：碲锌镉晶体、Cd源控制晶体生长

所属期刊栏目：52

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2022-06-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：730-733