MEE生长参数对复合衬底材料质量的影响

摘要：

Si基CdTe中ZnTe缓冲层的生长影响着材料表面粗糙度和半峰宽.本文为了验证分子束外延Si基CdTe中采用迁移增强外延(MEE)技术生长的ZnTe缓冲层的生长参数对复合衬底材料表面粗糙度和半峰宽的影响,对涉及到的MEE生长过程中的主要参数包括:Zn与Te数值比、MEE生长温度、Zn与Te束流强度值进行研究,设计了三组实验,并使用高分辨X光衍射仪、白光干涉仪和红外傅里叶光谱仪测试外延薄膜生长结果,总结MEE生长参数对复合衬底材料质量影响,通过实验得到最优的外延工艺条件,提高材料质量.

关键词：碲化锌、碲化镉、迁移增强外延、粗糙度、半峰宽

所属期刊栏目：52

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2022-06-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：726-729