大功率低偏振度超辐射发光二极管的研制

摘要：

超辐射发光二极管(SLED)是一种非相干性光源,具有激光器功率大,耦合效能高的优点,同时也有着频谱宽、相干长度短等特点,可以应于光学相干层析技术和波分复用技术等领域.未来的发展方向是更大的功率,更大的带宽以及更低的消光比.本论文研究了1310 nm波段具有掩埋异质结构的高性能SLED芯片的设计与波导工艺制作,采取7°倾斜波导并镀上反射率小于0.1％的增透膜.经测试该SLED芯片具有大的饱和出光功率(超过20 mW),低的偏振消光比(低于0.5 dB),以及良好的光谱特性(3 dB光谱带宽大于50 nm,光谱纹波小于0.1 dB).

关键词：超辐射发光二极管;掩埋异质结;大功率;低偏振消光比;宽光谱

所属期刊栏目：52

分类号：TN365(半导体技术)

在线出版日期：2022-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：217-222