碲镉汞焦平面组件中硅减薄工艺与热应力计算

摘要：

液氮冲击下,碲镉汞(HgCdTe)焦平面探测器中层状材料间线膨胀系数的不同将会在层状材料中产生热失配,过大的热失配应力将引起HgCdTe芯片断裂,决定着HgCdTe焦平面探测器的结构可靠性.为了解决HgCdTe焦平面探测器在液氮冲击下的热失配问题,我们借助MATLAB运算工具,采用线弹性多层体系热应力计算方法,得到了硅读出电路(Silicon Read Out Integrated Circuits,Silicon-ROIC)的厚度取不同值时,HgCdTe芯片中的热应力沿法线方向的分布.计算结果表明:当Silicon-ROIC的厚度由340μm减薄至25μm的过程中,HgCdTe芯片中生成的热应力随着Silicon-ROIC厚度的变薄而线性减小.这表明Silicon-ROIC减薄方案是一种解决HgCdTe红外焦平面探测器热失配问题的有效途径.

关键词：HgCdTe;焦平面探测器;弹性多层体系;硅读出电路减薄

所属期刊栏目：51

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金项目;河南省高等学校重点科研项目

在线出版日期：2021-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1191-1195