延伸波长InGaAs探测器封装用二级热电制冷器性能研究

摘要：

真空封装技术是延伸波长InGaAs探测器的主要封装方法之一,热电制冷器可为延伸波长InGaAs探测器焦平面提供低温环境.测试了基于真空封装技术无热负载条件下二级热电制冷器的性能,研究了二级热电制冷器在不同输入电流(功率)时冷、热端温差与热负载的关系,测试了二级热电制冷器在低温工况下的制冷性能以及二级热电制冷器处于不工作状态时的表观热导率.结果表明,热沉温度为274 K时,冷端可以达到221.4 K并实现77.5 K的冷、热端温差;当输入电流一定时,随着热负载的增加,冷、热端温差呈线性趋势减小,且斜率随着输入电流增大而增大;二级热电制冷器冷、热端温差在较高温度时更大,即制冷性能更好;当温度分别为233.1 K和249.8 K时,表观热导率分别为11.30 W/(m·K)和8.29 W/(m·K).

关键词：InGaAs探测器、真空封装、热电制冷器、表观热导率

所属期刊栏目：50

分类号：TN37(半导体技术)

资助基金：中国科学院青年促进会项目No.2018274

在线出版日期：2020-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：965-969