基于MBE替代硅衬底的材料综述

摘要：

主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底.本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向.

关键词：MBE、衬底、CdZnTe、HgCdTe、CdTe

所属期刊栏目：50

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2020-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：643-650