抑制In元素在CdTe中的退火扩散

摘要：

分子束外延HgCdTe/InSb材料需要阻止In元素在HgCdTe中的不受控扩散.我们使用CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制In的扩散.为研究In元素在CdTe材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品.考虑到在退火时In元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用SiO2作为钝化层,通过对比试验发现In元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制In元素的扩散提供新的思路.

关键词：InSb、CdTe、In扩散、钝化层

所属期刊栏目：50

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2020-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：583-585