InGaAs/InP单光子探测器的研制

摘要：

InGaAs/InP单光子探测器是量子密钥分配系统中的重要器件,为了实现InGaAs/InP单光子探测器的国产化,本文采用国产元器件研制了一种InGaAs/InP单光子探测器,包括雪崩二极管、单片机模块、温控模块、偏置电压模块、门控信号模块和小信号处理模块,编写了程序.实验表明,在100 MHz门控条件下且制冷温度为-45℃时,探测器的最大探测效率约为25％,当探测效率为10％时,暗计数率约为5.8×10-6/ns,后脉冲率仅为1％.本文研制的单光子探测器能够满足国产仪器设备的要求,对保障我国重点领域信息数据的安全具有显著的价值.

关键词：单光子探测器、国产化、雪崩二极管

所属期刊栏目：50

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2020-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：573-577