GaAs晶体的扩散键合工艺优化

摘要：

对影响准相位匹配GaAs晶体的键合质量的因素进行了研究,通过对GaAs面损耗、界面损耗和体损耗的分析,优化了键合工艺和参数.通过在光胶前加入酸洗过程,去除GaAs晶片的表面氧化物,并采用X射线光电子能谱仪(XPS)确认了氧化物去除情况,在无氧环境下进行后续过程;在热处理过程中,通过对GaAs电特性、光学透过率及微结构的分析,调整键合的温度和压力参数,制备了16层的准相位匹配GaAs晶体.当键合温度为550℃、键合压力为0.25 kgf/mm2时,获得低于0.18％的单层界面损耗.

关键词：非线性光学、扩散键合、准相位匹配、砷化镓

所属期刊栏目：49

分类号：O437(光学)

在线出版日期：2019-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1206-1211