HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展

摘要：

碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/三维成像、主/被动探测应用的重要器件.本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍.

关键词：HgCdTe、雪崩二极管、二维/三维成像

所属期刊栏目：49

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2019-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1159-1164