InAs/GaSbⅡ类超晶格电学性能研究

摘要：

为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能.利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响.

关键词：InAs/GaSb、Ⅱ类超晶格、电学性能、霍尔测试

所属期刊栏目：49

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2019-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：725-727