总剂量效应对CMOS读出电路影响及设计加固方法研究

摘要：

总剂量效应会对CMOS读出电路的性能产生明显的影响,甚至使CMOS读出电路功能完全失效.本文主要分析了总剂量效应对NMOS器件阈值、漏电流和器件间漏电流的影响机理.随后,针对640×512 CMOS读出电路提出了可行的抗辐照版图设计方法.总剂量试验表明,采用环栅结构、环源结构的640×512读出电路芯片抗总剂量能力可以达到100 krad(Si)以上.

关键词：总剂量效应、读出电路、环源结构、环栅结构抗辐照

所属期刊栏目：49

分类号：TN216(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2019-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：355-360