基于非制冷微测辐射热计的非晶硅锗薄膜电学特性研究

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了应用于微测辐射热计的非晶硅锗薄膜(a-SixGey),并研究了不同反应气体流量比GeH4/SiH4对薄膜电学性能参数(电阻温度系数TCR和电导率)的影响.研究结果表明,随着流量比GeH4/SiH4的增大,薄膜电阻温度系数降低,电导率则呈现上升趋势.所制备的薄膜表现出了高TCR值(约3.5％/K-1),适中的电导率(1.47×10-3(Ω·cm)-1)和优良的薄膜电阻均匀性(非均匀性<5％),在微测辐射热计热敏材料领域具有良好的应用前景.

关键词：非晶硅锗薄膜、PECVD、电阻温度系数、电导率、微测辐射热计

所属期刊栏目：49

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金项目51375244

在线出版日期：2019-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：336-340