干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取

摘要：

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一.文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响.实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过Ⅰ-Ⅴ测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况.从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30％ ～ 35％时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求.

关键词：锑化铟、感应耦合等离子体刻蚀、氩气、表面形貌、化学计量比、Ⅰ-Ⅴ测试

所属期刊栏目：48

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2019-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1503-1508