原位As掺杂p型碲镉汞薄膜的制备研究

摘要：

非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能.本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及其制备方法,为p-on-n碲镉汞材料器件研究提供依据.

关键词：p型、HgCdTe、As掺杂

所属期刊栏目：48

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2019-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1500-1502