Si基双色碲镉汞材料阻挡层生长及表征

摘要：

报道了Si基中短波双色碲镉汞(MCT)的最新研究进展.阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在.经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题.缺陷直径控制在10 μm以内,缺陷密度控制在2000 cm-3以内.并使用光致发光技术(PL),得到了不易直接获得的双色HgCdTe材料阻挡层的组分信息.

关键词：HgCdTe、中短波双色、阻挡层

所属期刊栏目：48

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1005-1008