偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究

摘要：

晶面偏角是提高(211) Si基CdTe复合衬底质量的方法之一.通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向.

关键词：硅、碲化镉、偏转角Si衬底、分子束外延

所属期刊栏目：48

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：国防基础科研计划项目JCKY2016210B002

在线出版日期：2018-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：876-879