高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长

摘要：

InSb是3~5 μm中波红外波段具有重要研究意义的材料.本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和V/III束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5 μm 样品的表面粗糙度 RMS≈0.3 nm(10 μm ×10 μm), FWHM≈7 arcsec;采用相同的生长温度和V/III 束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5 μm样品的室温电子迁移率高达6.06 ×104cm2V -1s-1,3 μm的样品最好的FWHM低至126 arc-sec.InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据.

关键词：InSb、InSb/GaAs、分子束外延、同质外延、异质外延

所属期刊栏目：48

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：352-357