As掺杂p型碲镉汞材料的研究进展

摘要：

非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能.本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及在器件方面最新研究进展,为今后As掺杂碲镉汞材料的研究提供依据.

关键词：p型掺杂、碲镉汞、红外焦平面

所属期刊栏目：47

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2017-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1059-1062