GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究

摘要：

为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究.通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据.首先,对GaAs基980nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200V,-600V,-800V,-1200V以及+5000V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数.其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象.反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4V电压下反向1200V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍.正向5000V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小.在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象.通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据.

关键词：大功率半导体激光器、静电、I-V特性、光输出功率

所属期刊栏目：47

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金项目11204009;北京市自然科学基金项目4142005;北京市教委能力提升项目PXM2016_014204_500026

在线出版日期：2017-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：698-702