Si基中短波双色HgCdTe材料生长及表征

摘要：

报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展.基于现有Si基中波、短波HgCdTe材料工艺基础,开发获得了Si基中短波双色HgCdTe材料的生长工艺.使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料生长工艺.获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料.

关键词：Si基HgCdTe、中短波双色、材料技术

所属期刊栏目：47

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2017-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：586-590