MBE外延InSb基CdTe工艺研究

摘要：

成功制备了CdTe/InSb复合衬底,为长波HgCdTe外延提供了可能.通过工艺研究解决了InSb氧化层去除及In元素扩散控制两个难点问题,使用As钝化法可以解决双腔衬底转移的问题,在常用的退火工艺下,通过厚度的调整可以阻挡In元素的扩散.

关键词：MBE、CdTe/InSb、RHEED、In扩散、SIMS

所属期刊栏目：47

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2017-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：474-478