ALE法对InSb／GaAs异质薄膜电学性能的改进

摘要：

以GaAs（100）为衬底，采用原子层外延（ALE）的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30 nm的InSb低温缓冲层，以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配（14．6％）对外延层质量造成的不利影响，从而改进异质外延薄膜的电学性能。实验结果显示，ALE低温缓冲层能较快地释放晶格失配应力，降低位错密度。室温和77 K的Hall测试显示，引入低温ALE缓冲层生长的InSb／GaAs异质外延薄膜，其InSb外延层本征载流子浓度和迁移率等电学性能较常规的方法有着较大的改进。

关键词：分子束外延、原子层外延、本征、InSb、GaAs

所属期刊栏目：47

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2017-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：67-71