分子束外延 InAs/GaSbⅡ类超晶格的缺陷研究

摘要：

InAs／GaSb Ⅱ类超晶格被认为制备第三代高性能红外探测器的优选材料。本文对GaSb 衬底上分子束外延生长的Ⅱ类超晶格材料缺陷进行了研究，首先对材料表面缺陷分类，然后分析了各类缺陷的起源，并研究了生长温度、GaSb 生长速率、As／In 束流比等对超晶格表面缺陷的影响，对制备高性能大面阵探测器的Ⅱ类超晶格材料生长具有参考价值。

关键词：Ⅱ类超晶格、分子束外延、缺陷、起源

所属期刊栏目：46

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2016-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1106-1109