重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量

摘要：

通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟（N ＋－InP）衬底生长的In0.53 Ga0.47 As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先，采用环氧树脂胶将In0.53 Ga0.47 As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上，以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底；之后，采用扫描电子显微镜能谱及金相显微镜对InP衬底的剥离情况及In0.53 Ga0.47 As薄膜的损伤情况进行了检测；最后采用范德堡法对粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上的In0.53 Ga0.47 As薄膜的迁移率进行了测量。通过对比试验得出，剥离InP衬底的In0.53 Ga0.47 As薄膜的迁移率测量结果与理论值符合较好，与真值偏差在20％以内。

关键词：铟镓砷外延层、迁移率:范德堡法

所属期刊栏目：46

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2016-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：843-846