10.3969/j.issn.1001-5078.2016.07.006
大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究
针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退化严重;使用俄歇谱测试仪(AES)对钝化处理后的半导体激光器试验片进行测试,发现有部分的氮离子遗留在腔面处;氮元素含量由原有的0%上升到20%,与此同时,氧元素的含量由原来的61%降至30%。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。
激光器、大功率半导体激光器、腔面钝化、离子铣、灾变性光学损伤(COD)
46
TN248.4(光电子技术、激光技术)
北京市教委创新能力提升计划TJSHG201310005001;国家自然科学基金11204009;北京市自然科学基金项目No.4142005资助。
2016-08-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
805-808