p型GaAs欧姆接触性能研究

摘要：

为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性，利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10～50 nm范围、Pt厚度在30～60 nm范围的Ti／Pt／200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti／Pt／200 nm Au电极结构接触电阻率，研究了退火参数对欧姆接触性能的影响，同时分析了过高温度导致电极金属从边缘向内部皱缩的机理。结果表明，Ti厚度为30 nm左右时接触电阻率最低，接触电阻率随着Pt厚度的增加而增加；欧姆接触质量对退火温度更敏感，退火温度达到510℃时电极金属从边缘向内部皱缩。采用40 nm Ti／40 nm Pt／200 nm Au作为半导体光电器件p-GaAs电极结构，合金条件为420℃，30 s可以形成更好的欧姆接触。

关键词：半导体器件、欧姆接触、接触电阻率、合金

所属期刊栏目：46

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目No.11204009；北京市自然科学基金项目No.4142005；北京市教委创新能力提升计划项目No. TJSHG201310005001资助。

在线出版日期：2016-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：578-582