InSb材料的表征

摘要：

InSb为直接带隙半导体材料，禁带宽度77 K时为0.232 eV，在3～5μm红外探测器上有着重要的应用。本文介绍了InSb晶体材料应用及制备的发展情况，对InSb材料的晶体结构、热学性质、机械性能、光学性质和电学性质的表征进行了叙述。根据InSb材料的基本特性，对其制备发展过程中将可能出现的问题和研究方向进行了预测。

关键词：InSb、半导体、材料表征

所属期刊栏目：46

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2016-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：522-526