Ge 晶片激光标识码的制作技术

摘要：

晶片标识码在工艺加工管理中起重要作用。传统手写方式存在字体不美观、划痕深及锗渣污染等缺点。鉴于此，采用波长1060 nm 光纤激光器进行激光标识码制作。研究中分别改变激光平均输出功率、脉冲频率及扫描速度，借助目视、金相显微镜及动态三维光学轮廓仪来观察标识码清晰程度、污染程度及深浅程度的变化，了解它们与上述参数间相互对应关系。重点解决清晰度与打标深度之间的矛盾，从而得到清晰、清洁且深度满足后续半导体纳米级加工工艺要求的激光标码技术。研究表明：低脉冲频率（20 kHz）下，随平均功率上升，标识码的清晰度逐渐增加，镜检结果显示 Ge 渣的数量及其分布区域增大；高脉冲频率（90 kHz）下，平均功率增加对标识码清晰度的影响及 Ge 渣数量和分布区域的变化没有如低脉冲频率下表现明显。平均功率与清晰度及污染程度成正比关系。扫描速度与打标深度呈反比关系。采用21％～23％平均功率，25 kHz 频率，1500 mm ／s 扫描速度及双线填充字体（TrueType）的工艺条件，所得标识码在目视及镜检下清晰美观，无 Ge 渣污染。轮廓仪测量结果显示字迹深度及边缘凸起均在200 nm 以下。经批量产品验证，根据研究成果所开发的工艺技术稳定且对后续工艺无不良影响。目前已取代手写方式。

关键词：光纤激光器、激光打标、清晰度、锗渣污染、打标深度、Ge 单晶

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2016-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1423-1426