LD泵浦被动调Q皮秒Nd∶YVO4微片激光器

摘要：

报道了一种新型调Q微片激光器.首次提出了斜泵浦方案,实验中分别采用LD端面垂直泵浦和斜泵浦两种方式,结构简单紧凑.微片采用Nd∶YVO4作为工作物质,半导体可饱和吸收镜(SESAM)为调Q元件.在两种泵浦方式下,都获得了重复频率范围在千赫兹到兆赫兹的皮秒激光脉冲输出.以光纤耦合输出的808 nm LD作为泵浦源,在垂直泵浦的情况下,在420 mW抽运功率下,获得6.40 mW的1064 nm激光输出,脉冲宽度57.8 ps,对应单脉冲能量6nJ,x、y方向的光束质量因子分别为1.18、1.17.在斜泵浦的情况下,在550 mW抽运功率下,获得2.25 mW的1064 nm激光输出,脉冲宽度64.3 ps,对应单脉冲能量17 nJ,x、y方向的光束质量因子分别为1.29、1.32.

关键词：微片激光器、被动调Q、Nd∶YVO4晶体、半导体可饱和吸收镜

所属期刊栏目：45

分类号：TN245(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1325-1330