10.6μm脉冲激光对多晶硅探测器干扰损伤实验

摘要：

用10.6 μm脉冲CO2激光辐照多晶硅光电探测器,进行了干扰与损伤阈值实验研究,得到了对多晶硅探测器的干扰、损伤阈值;分析了不同干扰能量的干扰效果,研究了干扰损伤机理,依据受干扰程度对干扰等级进行了划分;通过干扰激光能量与干扰光斑面积的关系,重度饱和后探测器随时间恢复情况,探讨了各干扰等级下10.6.μm脉冲激光对红外成像系统的干扰效果.

关键词：多晶硅探测器、脉冲C02激光、饱和阈值、损伤阈值、干扰等级

所属期刊栏目：45

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1084-1087