10.3969/j.issn.1001-5078.2015.09.011
CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响
利用气相外延技术在CdZnTe衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度CdZnTe衬底上的外延结果发现,CdZnTe衬底对外延形貌的影响非常大.(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌.对于同是〈111〉CdZnTe晶向的衬底,(111)Cd面CdZnTe衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面.对于(111)Cd面CdZnTe衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好.
Hg1-xCdxTe晶体、CdZnTe衬底、(111)Cd面、(111)Te面
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TN213(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金61106097,61204134,11304335;中科院三期创新项目CX-26;中国载人航天工程资助
2015-11-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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