CdZnTe（211）B 衬底对 MBE 外延碲镉汞材料的影响分析

摘要：

碲锌镉 CdZnTe（211）B 衬底广泛应用于碲镉汞（HgCdTe）分子束外延生长，其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨论了 CdZnTe（211）B 衬底几个关键性能参数对碲镉汞外延材料的影响，包括 Zn 组分及均匀性、缺陷（位错、孪晶及晶界和碲沉淀）以及表面状态（粗糙度和化学组成），并且分析了对 CdZnTe（211）B 衬底进行筛分时各性能参数的评价方法和指标。

关键词：碲锌镉、碲镉汞、分子束外延、表面状态、筛分

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：650-655