Si 基短波碲镉汞材料分子束外延生长研究

摘要：

报道了在中波工艺基础上，Si 基碲镉汞分子束外延短波工艺的最新研究进展，通过温度标定、使用反射式高能电子衍射、高温计的在线测量和现有的中波 Si 基碲镉汞温度控制曲线建立及优化了 Si 基碲镉汞短波材料的生长温度控制曲线；获得的 Si 基短波 HgCdTe 材料表面光亮、均匀，表面缺陷密度小于3000 cm －2；基于此技术成功制备出了 Si 基短／中波双色材料。

关键词：硅基碲镉汞、分子束外延、短波碲镉汞外延、短/中波双色碲镉汞

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：646-649