硅基 MEMS 红外光源制造及其辐射特性研究

摘要：

结合现有微机电系统（MEMS）制造工艺加工设计了一种新型的硅基 MEMS 红外辐射光源，该光源采用辐射功能层悬浮结构，主要包括微米量级多晶硅辐射层、重掺杂单晶硅反射层、二氧化硅保护层、支撑层和金属电极层；采用硼离子注入技术对多晶硅辐射层进行掺杂改性，实现多晶硅辐射层良好的电阻加热和体辐射效应；采用光谱辐射计对 MEMS 红外光源辐射光谱进行测试，显示光谱辐射波段为2～14μm；光源驱动电压为5.8 V 时，电光转化效率达9.76％，光源开启时间约为20 ms，关断时间约为10 ms，总驱动响应时间为30 ms。

关键词：MEMS红外光源、多晶硅、电光转化效率、驱动响应时间

分类号：TN219(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金项目No．51275492；中国博士后科学基金特别项目No．2013T60557；中国博士后科学基金面上项目No．2012T52118；江苏省博士后科研计划项目No．1201038C资助。

在线出版日期：2015-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：276-280