10.3969/j.issn.1001-5078.2013.12.12
锑化铟离子注入退火技术研究
对锑化铟(InSb)铍离子(Be+)注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结Ⅰ-Ⅴ特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析.
锑化铟、离子注入、快速热退火
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TN213(光电子技术、激光技术)
2014-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1372-1375